삼성전자에서 기업 및 대학 교수를 유기적으로 연계하여 대학내 연구 분위기를 활성화하고 우수기술인력의 조기발굴 및 수급을 목적으로 94에 제정하여 매 해 개최하고 있는 휴먼테크 논문대상에서 신소재공학부와 전자공학부에서 각각 은상 및 동상을 수상했다.

이번 제15회 대회에서는 신호처리, 통신, 컴퓨터, 반도체 등 8개 기술 분야에 총 85개교 928편의 논문이 접수되었으며, 대학부분 총 58개 수상 편수(금상 5, 은상 16, 동상 20, 장려상 17) 중 본교 팀이 3개의 상을 수상하는 쾌거를 이루었다. 또한 은상과 동상을 수상한 3팀에는 각각 500만원과 300만원의 부상과 함께 삼성전자 입사 특전의 혜택을 부여받았다.

시상식은 지난 2월 25일(수) 오전 11시에 서초동 삼성전자 사옥 빌딩 5층 다목적 홀에서, 전국 대학 총장 및 고등학교 교장 400여명이 참석한 가운데 1시간 동안 열렸다.

 신소재공학부 은상 수상팀
  참여 학생 : 박정주, 이세련, 이복영, 김인표
  지도 교수 : 조진한
  논문 제목 : Multifunctional Free-Standing Multilayers toward Highly Flexible/Patchable Film Devices (플렉서블 필름 소자를 위한 다기능성 다층박막)

신소재공학부 조진한 교수 연구실의 박정주(석사2년), 이세련(석사1년), 이복영(석사1년), 김인표 (석사2년) 학생들은 광경화성 층상자기조립법 (Photo-Crosslinking Layer-by-Layer Assembly)이라는 새로운 개념의 다층박막 제조방법을 이용하여 다양한 광학적 성질 및 내부구조 제어를 통해 차세대 플렉서블 필름 소자를 만들 수 있는 방법을 세계 최초로 보고하였으며 이와 같은 제조방법은 기존에 보고된 어떤 다른 방법보다 빠르고 손쉽게 제조될 수 있음을 증명하였다.

이러한 연구결과를 바탕으로 삼성전자 휴먼테크 은상을 수여받았으며 본 연구결과는 석사 1년차인 이세련, 이복영 학생이 주도적인 연구결과를 통해 화학분야의 세계 최고 권위지인 Journal of the American Chemical Society에도 그 독창성을 인정받아 게재허가를 받았다.

또한 삼성전자 휴먼테크 논문의 제 1저자인 박정주 학생은 석사 1년차에 재료분야의 세계 최고 권위지인 Advanced Materials에 제 1저자로 주도적인 연구결과를 도출하였으며 그외에 김인표 학생과 함께 Nature Nanotechnology 및 Journal of Material Chemistry를 포함하여 5편의 논문이 해외 top journal에 출판, 게재승인 및 논문게재 준비중이다.

이와 같은 연구성과를 바탕으로 석사 기간중에 KBS 이공계 인재육성 장학금 및 한국과학재단에서 수여하는 이공계 대학원 연구 장학생으로 선발되기도 하였다.

 전자공학부 은상 수상팀
  참여 학생 : 전자공학부 윤영남, 윤종규, 이상현, 고태석
  지도 교수 : 한상규, 홍성수, 노정욱
  논문 제목 : 동시 제어 방식을 갖는 새로운 이중출력 LLC 공진형 DC/DC 컨버터

은상을 수상한 국민대학교 전자공학부 한상규, 홍성수, 노정욱 교수 연구실(전력전자실험실)의 윤영남(학사), 윤종규(석사), 이상현(석사), 고태석(석사) 학생들은 정밀한 이중출력을 얻기 위한 전원시스템에 대한 논문으로 기존과 다르게 주파수와 동작시비율의 동시 제어란 개념을 최초로 도입하였다. 그로인해 기존에 비해 사용되는 소자수 및 부피를 감소시키고, 고효율의 전원시스템 제작을 가능하게 하였다.

 전자공학부 동상 수상팀
  참여 학생 : 전자공학부 전용우, 이순영, 전기찬, 이지은
  지도 교수 : 김동명, 김대환
  논문 제목 : 공정이 용이한 4비트 ‘T' 모양 게이트 ’I' 모양 FinFET 비휘발성 메모리

동상을 수상한 국민대학교 전자공학부 김동명, 김대환 교수 연구실(반도체및집적회로실험실)의 전용우(학사), 이순영(석사), 전기찬(석사), 이지은(석사) 학생들은 이번 논문을 통해 차세대 고집적 메모리 구현을 위하여 새로운 구조의 4-bit/cell 메모리 소자를 Self-align 공정으로 구현 가능하도록 제안하였으며, 메모리 소자의 신뢰도 향상을 위하여 새로운 읽기, 쓰기/지우기 방법을 적용하였다.

이로 인하여, 메모리 저장 능력이 같은 면적에서 약 4배 증가하였으며 기존의 읽기, 쓰기/지우기 방법에 비하여 읽기능력이 향상되었으며 짧은 시간 동안 저전압에서 쓰기/지우기가 가능함을 보였다.